RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
104
Около -154% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.7
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
7.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1855
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link