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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
104
Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.7
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
41
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1855
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
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