RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
104
Около -174% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2148
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link