RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
104
Около -271% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.9
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2312
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link