RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Panram International Corporation M424051 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation M424051 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation M424051 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
97
104
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.5
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
97
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
11.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1270
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link