RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
104
Около -300% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2157
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link