RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
73
104
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
73
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1842
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link