RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
104
Около -215% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3214
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link