RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
55
104
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.4
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
55
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
9.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2185
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9965426-079.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link