RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
2855
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link