RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2855
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Mushkin 992008 (997008) 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link