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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
36
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
2855
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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