RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
104
Около -167% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2183
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link