RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
104
Intorno -167% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
39
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2183
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link