RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
104
Около -225% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2853
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Elpida EBJ41HE4BDFA-DJ-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link