RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
104
Por volta de -225% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2853
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link