RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
74
Около -95% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3017
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link