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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
74
Por volta de -95% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
10.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3017
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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