RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
74
Около -164% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
13.8
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2179
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link