RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2179
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link