Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 13.8

Среднее значение в тестах

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

7.9 2,201.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

74 74
Скорость чтения, Гб/сек

4,178.4 13.8
Скорость записи, Гб/сек

2,201.1 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

508 1825

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB

Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston KHX3000C15/16GX 16GB

Kingston KHX3000C15/16GX 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB

модули RAM

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB

модули RAM