RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
74
Около -270% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
19.2
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3432
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link