RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
74
Wokół strony -270% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3432
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kllisre 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-044.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C10-8GSR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link