RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 16.2
    Среднее значение в тестах
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 73
    Около -181% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.7 left arrow 1,423.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    73 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,510.5 left arrow 16.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,423.3 left arrow 12.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    476 left arrow 2728

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
модули RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
модули RAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
модули RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
модули RAM