RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2179
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link