RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
73
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2605
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link