RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
73
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
54
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2938
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link