RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
73
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
54
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2938
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link