RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
73
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
12.8
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2148
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link