RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
73
Rund um -170% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
8.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2148
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link