RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
star star star star star
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 12.8
    テスト平均値
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB 考慮すべき理由
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 73
    周辺 -170% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 1,423.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 12.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    476 left arrow 2148

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAMの比較

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
メモリRAM
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
メモリRAM
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM