Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 17.6
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 69
    Около -130% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    13.9 left arrow 1,441.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    69 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,325.1 left arrow 17.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,441.2 left arrow 13.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    525 left arrow 3473
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения