RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
69
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3473
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Strontium SRP2G86U1-S6M 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link