RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
69
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.7
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
48
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3047
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link