RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
69
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
15.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3047
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link