RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
69
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3047
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link