RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
69
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3037
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
UMAX Technology 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link