RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
69
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
9.8
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2126
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link