RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
69
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3482
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link