RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
69
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3004
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link