RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
69
Около -214% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2960
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link