RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
68
Около -162% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
3783
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link