RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
68
Por volta de -162% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
15.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
3783
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link