RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
11.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
11.9
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2824
2880
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link