RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Сравнить
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB против Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
35
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.7
19.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2767
3832
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link