RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Сравнить
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB против Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
49
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
49
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.1
Скорость записи, Гб/сек
11.3
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2848
2668
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link