RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около -41% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2575
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link