RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
38
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
19
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
20.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3542
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link