RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3428
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link