RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3466
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
INTENSO 5641160 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link