RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
4015
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link